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MA-4000,化合物半導(dǎo)體用曝光裝置,Mask Aligner,DNK大日本科研DSLY0505
MA-4000,化合物半導(dǎo)體用曝光裝置,Mask Aligner,DNK大日本科研DSLY0505
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MA-4000,化合物半導(dǎo)體用曝光裝置,Mask Aligner,DNK大日本科研DSLY0505
MA-4000,化合物半導(dǎo)體用曝光裝置,Mask Aligner,DNK大日本科研DSLY0505
把涂有光刻膠的基板與掩膜重疊,光刻圖形的曝光裝置。為了實(shí)現(xiàn)多層曝光時(shí)的自動(dòng)對位,裝配有顯微鏡和X?Y?θ對位臺。自動(dòng)進(jìn)行基板的供給、對位、曝光、排出。
特長:
裝載有邊緣傳感器和間隙傳感器的非接觸式近接曝光裝置。*適合觸摸屏及有機(jī)EL等的量產(chǎn)。
采用獨(dú)自的平行調(diào)整機(jī)構(gòu),能夠高精度地設(shè)定掩膜與Wafer間的近接間隙。
利用獨(dú)自的高速圖像處理技術(shù),實(shí)現(xiàn)高精度的對位。
利用圖像處理技術(shù),使預(yù)對位可對應(yīng)薄型基板或翹曲基板及水晶等易碎Wafer(選購項(xiàng))。
利用獨(dú)自的接觸壓力精密控制機(jī)構(gòu),能夠使Wafer與掩膜高精度地接觸。
通過Wafer的背面真空吸著方式,實(shí)現(xiàn)高速度和高精度以及穩(wěn)定的自動(dòng)搬送。
※基板尺寸和水銀燈瓦數(shù)及特殊規(guī)格可商洽
MA-4000
Wafer尺寸
?2~4"
?4~6"
掩膜尺寸
□5"
□7"
光源
超高壓水銀燈 :500W or 1kW
外觀尺寸及重量
本體尺寸
W1340 x D1430 x H1900mm
本體重量
1120kg
選購項(xiàng)
生產(chǎn)管理系統(tǒng)(D-Net)、背面對位、○□基板兼用